• ΑΠΟ ΤΟ 1974 ΔΥΝΑΜΙΚΑ ΔΙΠΛΑ ΣΑΣ !!!
  • Παραγγείλτε και τηλεφωνικά στα 210-8320208 - 210-8325034 - 210-8320111 ή με FAX στο 210-8328323 με τον κωδικό του προϊόντος.
RJP30H2A N-CH IGBT 360V/35A/60W TO-263-3
Κωδικός: RJP 30H2A

RJP30H2A N-CH IGBT 360V/35A/60W TO-263-3

RJP30H2A N-CHANNEL IGBT 360V 35A 60W RENESAS TO-263-3

General Description

The RJP30H2A is silicon n-channel IGBT suitable for high speed power switching.

Features

·          Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)

·          Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.4V typical

·          High speed switching: tf= 100ns typical, tf= 180ns typical

·          Low leak current: ICES= 1mA (max)

Λεπτομέρειες

  • Πόλωση: NPN
  • Package: TO-263-3
  • Κέλυφος: SMD

Σε απόθεμα

Τιμή: 4.00 €